鈮靶材價格 鈮旋轉(zhuǎn)靶材 高純

? ? ? 一般會由金膜或銀膜替代。光碟的膜層也是多層組成的，它在染料層上鍍上30nm厚的鐵鈷合金記錄層，里面混有非晶態(tài)稀土過渡元素，再鍍上20到100nm厚的氮化硅介質(zhì)層，后鍍上鋁膜反射層。這些需要落得磁性能，能夠記錄數(shù)據(jù)的電子產(chǎn)品，要實現(xiàn)這些功能，還是要靠各種不同物質(zhì)所濺射而成的薄膜，靠其成膜后顯示出來的晶體狀態(tài)排序來實現(xiàn)。 ? ? ? 在安裝過程中不易變形，降低安裝難度，提高合格率。靶材按材

2024-08-15 面議/套

等靜壓鉻靶,噴涂鉻靶,高純鉻

? ? ? 等靜壓鉻靶是將預(yù)先成型的素坯放入橡膠包套內(nèi)浸于高壓液體下使之承受各向同性的壓力，實現(xiàn)素坯密度的強化。冷等靜壓只是獲得密度盡可能高的素坯，使素坯的燒結(jié)致密化更為容易。由于冷等靜壓不具有熱等靜壓的燒結(jié)能力，需要單獨的燒結(jié)工藝對素坯進行燒制。冷等靜壓能生產(chǎn)大尺寸的靶材，是目前多數(shù)企業(yè)優(yōu)先選擇的成型方法。國內(nèi)外的成型研究表明，冷等靜壓法可以制備出滿足陶瓷靶材所需的高品質(zhì)素坯。但冷等靜壓成型超大

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真空噴涂靶,噴涂硅靶,低氧硅

? ? ? CuSe化合物旋轉(zhuǎn)靶材的制備方法，具體步驟如下：步驟1：選用無磁管材為基體；無磁管材選用無磁不銹鋼管、金屬銅管、金屬鈦管、鎳鉻管、鎳鋁管，無磁管材經(jīng)加工尺寸達到使用要求，兩端按要求加工成連接用螺扣，并對其表面進行噴砂、清洗、烘干等預(yù)處理。步驟2：利用超音速冷噴涂技術(shù)將CuSe粉體在預(yù)處理后的基體外表面噴涂，沉積層厚度不超過20mm；再利用冷等靜壓技術(shù)在非常高壓下進一步提高密度； ? ?

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鋅鋁靶,旋轉(zhuǎn)鋅鋁管靶,鋅鋁靶

? ? ? 靶材****有望獲得重點支持。在半導(dǎo)體材料行業(yè)中，靶材行業(yè)屬于高等靶材仍在日美等國把控，但是國產(chǎn)替代已經(jīng)嶄露頭角，呈現(xiàn)定點打破局面，正是需要社會資金大力投入奮力追趕之關(guān)鍵時刻。按照半導(dǎo)體材料占比產(chǎn)業(yè)9%，靶材占比材料3%比例測算，靶材行業(yè)有望獲得超過30億元投資支持，直接利好****公司。隨著FPD靶材國產(chǎn)化的發(fā)展以及加速國產(chǎn)化靶材的成長，免稅政策有必要取消，帶背板的濺射靶材組件的**

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Nb2O5靶材,五氧化二鈮靶材,

WSTS預(yù)計，2018年大部分國家半導(dǎo)體規(guī)模增速達12.4%。2010~2016年，大部分國家半導(dǎo)體銷售額保持平穩(wěn)發(fā)展，而2017年大部分國家市場增速超預(yù)期，達21.62%，特別是存儲器市場，增速高達61.49%。一方面，存儲芯片需求旺盛，產(chǎn)品價格大幅上漲，另一方面，物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI等新應(yīng)用拉動下游需求，WSTS 預(yù)計，在AI、智能駕駛、5G、VR/AR等需求持續(xù)帶動下，2018年大部分國家

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鋯靶生產(chǎn)廠家,鋯靶材定制,鋯

? ? ? 高純金屬及濺射靶材是電子材料的重要組成部分，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)，其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。 上游的金屬提純主要從自然界重點金屬礦石進行提純，一般的金屬能達到 99.8%的純度，濺射靶材需要達到 99.999%的純度。靶材制造環(huán)節(jié)首先需要根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求進行工藝設(shè)計，然后進行反復(fù)的塑性變形、熱處

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鋁釹合金靶,釹鋁合金靶材,鋁

大尺寸一體化鋁釹旋轉(zhuǎn)靶材及其制備方法，特別涉及一種大尺寸一體化鋁釹旋轉(zhuǎn)靶材的制備。真空熔煉和熱壓技術(shù)由于成分不均勻容易產(chǎn)生偏析，再加上靶材形狀受到限制，已經(jīng)不能滿足靶材成分均勻、大尺寸一體化的要求。濺射靶材生產(chǎn)過程屬于有色金屬物理加工，生產(chǎn)過程中不涉及有毒有害原料和有毒有害“三廢”，國家對濺射靶材行業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售不存在特殊管制。采用超音速火焰(HVOF)和電弧噴涂技術(shù)制備金屬陶瓷/合金多層涂

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高純鉻靶材,鉻靶材生產(chǎn)廠家,

? ? ? 鍍膜靶材是用物理或化學(xué)的方法在靶材表面鍍層透明的電解質(zhì)膜，或鍍一層金屬膜，目的是改變靶材表面的反射和透射特性。而鍍膜的方法有真空鍍膜和光學(xué)鍍膜，真空鍍膜和光學(xué)鍍膜的區(qū)別是什么。在19世紀(jì)末，ITO薄膜的研究工作開始真實地發(fā)展了起來，當(dāng)時是在光電導(dǎo)的材料上獲得很薄的金屬薄膜。而關(guān)于透明導(dǎo)電材料的研究進入一個新的時期，則是在第二次世界大戰(zhàn)期間，主要應(yīng)用于飛機的除冰窗戶玻璃。而在1950年，

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旋轉(zhuǎn)靶材,旋轉(zhuǎn)硅靶,旋轉(zhuǎn)氧化

? ? ? 氧化鋅摻鋁（AZO）薄膜因無害、成本低、Zn 源材料豐富以及在 H 等離子體中性能穩(wěn)定等優(yōu)點得到廣泛的研究，尤其作為前電極應(yīng)用在薄膜太陽能電池中 。在AZO薄膜的制備方法中，磁控濺射技術(shù)具有成膜致密和成本低等優(yōu)點，其中以直流和射頻磁控濺射研究廣。? ? 要獲得高性能的AZO薄膜，直流磁控濺射一般要求基片加熱到 200~500 ℃ ，提高了實際應(yīng)用中的成本，縮小了AZO薄膜的應(yīng)用范圍。而

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硅靶哪里便宜 硅靶廠家報價

? ? 氧化鋅摻鋁（AZO）薄膜因無害、成本低、Zn 源材料豐富以及在 H 等離子體中性能穩(wěn)定等優(yōu)點得到廣泛的研究，尤其作為前電極應(yīng)用在薄膜太陽能電池中 。在AZO薄膜的制備方法中，磁控濺射技術(shù)具有成膜致密和成本低等優(yōu)點，其中以直流和射頻磁控濺射研究廣。? ? 要獲得高性能的AZO薄膜，直流磁控濺射一般要求基片加熱到 200~500 ℃ ，提高了實際應(yīng)用中的成本，縮小了AZO薄膜的應(yīng)用范圍。而采用

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